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【课题背景】

随着显示技术向微型化、高分辨率和高集成化方向发展，氮化物半导体（如GaN、InGaN等）因其优异的光电特性成为Micro-LED显示技术的核心材料。Micro-LED作为一种新兴的显示技术，具有高亮度、高对比度、低能耗等显著优势，被视为下一代显示技术的重要发展方向。然而，氮化物半导体晶体的质量直接影响Micro-LED器件的性能和可靠性。目前，晶体生长过程中存在的缺陷、杂质掺杂不均匀以及热稳定性不足等问题，限制了其在高端显示技术中的应用。

本课题将优化氮化物半导体晶体的生长工艺，提高晶体质量，减少缺陷密度，增强材料的光电性能和热稳定性，旨在为Micro-LED显示技术提供更优质的材料基础，推动其在虚拟现实、增强现实、超高清显示等领域的广泛应用。

【课题方向参考】

• 氮化物半导体晶体缺陷机理研究

• 新型外延生长技术开发

• 量子点色转换层与氮化物半导体的兼容性优化

• 氮化物半导体的热稳定性提升策略

• 基于堆叠结构的全彩化Micro-LED晶体设计

【适合人群】

• 材料科学与工程、物理学、电子科学与技术等相关专业

• 掌握半导体物理、量子力学、固体光学等理论知识，具备较强的数据分析能力

• 能使用论文数据处理及绘图软件（如Origin 8），专业光学仿真软件（tracepro），专业多物理场仿真软件（Comsol）

【课题收获】

• 高质量论文一篇（SCI定向期刊）

• SCI期刊投递与发表指导

• 结业证书

【导师介绍】

Prof. Lai，985高校博士

• 已在IEEE EDL、IEEE TED、Journal of Physics D: Applied Physics等国际专业期刊以第一作者身份发表论文19篇

• 中国激光杂志社、MDPI、MRE等期刊特约审稿/撰稿人

• 拥有丰富的中、英文学术论文辅导经验，熟悉各类论文写作规范和技巧，能够针对不同学科和研究领域提供专业的指导和建议

• 具备氮化镓多量子阱外延设计和制备的条件（目前国内TOP5条件）

• 可研究多量子阱中的载流子输运特性、发光现象等物理机理，具体将探究极低温至室温条件下外延材料光致发光性能变化、RSM、XRD等测试研究晶体质量，同时分析其中的载流子输运和复合机理，包括载流子复合占比和寿命等（如有特别要求，可以定制）

【课题安排】

研究周期预估六个月左右，具体视学员情况调整。

【推荐阅读】

2018 Fabrication and study on red light micro-LED displays